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研究進展
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基于GaSb-Sb4Te類超晶格相變薄膜的多級存儲器件研究
作者: irglass 時間: 2016-11-06 瀏覽:2,249 次

相變存儲器是國際上公認的最有前景的下一代非易失性存儲技術之一。然而,較大的操作電流和較高的功耗制約了相變存儲器的商用進程。利用不同相變薄膜構造類超晶格結構是優化相變存儲器性能的主要方法之一,其原理是通過多層界面的聲子散射效應降低相變功能層的熱導率,提升加熱效率,達到降低操作電流和功耗的目的。此外,通過調控類超晶格結構兩薄膜的結晶溫度,可以實現多級存儲。本實驗室與中科院上海微系統與信息技術研究所、鄭州大學合作,利用GaSbSb4Te薄膜構造的多層結構器件實現了三態存儲,并發現在非晶態薄膜中形成的逾滲導電路徑是實現多態存儲的主要原因,這與橫截面TEM分析結果相一致。相關研究結果發表在Applied Physics Letters, 2016, 109: 173103上。鏈接:(http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/109/17/10.1063/1.4966182)。

1 GaSb/Sb4Te類超晶格結構器件單元的多級存儲性能

 
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